采用此方法可以制备出负性光刻胶所能制备的任意结构,同时相比于传统的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且图形的结构越大相对的加工效率越高。本发明为微纳制造领域,光学领域,电学领域,声学领域,生物领域,mems制造,nems制造,集成电路等领域提供了一种新的有效的解决方案。附图说明图1为本发明制备用电子束在pmma上曝光出圆形阵列的轮廓;图2为本发明用黏贴层撕走pmma轮廓以外的结构后得到的圆形柱状阵列;图3为实施例1步骤三的结构图;图4为实施例1步骤四的结构图;图5为实施例1步骤五的结构图;图6为实施例1步骤六的结构图,苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步详细的描述。实施例1一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,并清洗;步骤二、使用十三氟正辛基硅烷利用高温气体修饰法对衬底进行修饰;步骤三、利用旋涂的方法在衬底上旋涂光刻胶pmma得到薄膜,如图3。步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓如圆形,如图4所示,苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源,苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源。步骤五、在加工出结构轮廓的薄膜上面覆盖一层黏贴层,如图5。步骤六、揭开黏贴层及结构轮廓以外的薄膜,在衬底上留下轮廓内的微纳尺度结构。苏州性价比较好的剥离液的公司联系电话。苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源
含有的胺化合物的质量分为:1%-2%。进一步技术方案中,所述的添加剂中含有醇醚化合物的质量分为:30%-50%;含有胺化合物的质量分为:35%-55%;含有缓蚀剂的质量分为:6%-12%;含有润湿剂的质量分为:1%-7%。进一步技术方案中,所述的步骤s1中剥离液废液所含的酰胺化合物以及步骤s2中添加剂所含的酰胺化合物均为n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的一种或者多种。进一步技术方案中,所述的步骤s1中剥离液废液所含的醇醚化合物以及步骤s2中添加剂所含的醇醚化合物均为二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一种或多种。进一步技术方案中,所述的步骤s1中剥离液废液所含的胺化合物以及步骤s2中添加剂所含的胺化合物为环胺与链胺。进一步技术方案中,所述的环胺为氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的一种或多种;所述的链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的一种或多种。进一步技术方案中,所述的三唑类化合物,具体为苯并三氮唑(bta)、甲基苯并三氮唑(tta)中的任意一种。进一步技术方案中,所述的润湿剂为含羟基化合物,具体为为聚乙二醇、甘油中的任意一种。苏州江化微的蚀刻液剥离液主要作用如何挑选一款适合公司的剥离液?
2)、伺服变频电机(3)、电机减速箱(4)、印刷品放置箱(6)、表面印刷结构(7)、胶面剥离结构(8),所述主支撑架(1)上方设置有所述横向支架(2),所述横向支架(2)上方设置有所述伺服变频电机(3),所述伺服变频电机(3)上方设置有所述电机减速箱(4),所述电机减速箱(4)上方安装有印刷品传送带(5),所述印刷品传送带(5)一侧安装有所述印刷品放置箱(6),所述印刷品放置箱(6)一侧安装有所述表面印刷结构(7),所述表面印刷结构(7)上方设置有油墨放置箱(701),所述油墨放置箱(701)下方安装有油墨加压器(702),所述油墨加压器(702)下方安装有高压喷头(703),所述高压喷头(703)一侧安装有防溅射挡板(704),所述防溅射挡板(704)下方安装有印刷辊(705),所述表面印刷结构(7)一侧安装有所述胶面剥离结构(8),所述胶面剥离结构(8)上方安装有收卷调速器(801),所述收卷调速器(801)一侧安装有收卷驱动电机(802),所述收卷驱动电机(802)一侧安装有辊固定架(803),所述辊固定架(803)一侧安装有胶水盛放箱(804),所述胶水盛放箱(804)下方安装有点胶头(805),所述点胶头(805)下方安装有卷边辊(806),所述卷边辊(806)一侧安装有胶面收卷辊(807),所述胶面剥离结构(8)一侧安装有电加热箱(9),所述电加热箱。
所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。具体的,所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度,对金属的腐蚀率低,而且使用寿命长。具体实施方式本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液,配方包括10~20wt%二甲基亚砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氢氧化铵,~1wt%硫脲类缓蚀剂和~2wt%聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏,所以稳定性较高,水溶性较好,耐电解质,易于生物降解,泡沫小。硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性,所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果,另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。铜剥离液的配方是什么?
技术领域:本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,可用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。技术背景:微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志,对提高人们的生活水平,促进产业发展与经济增长,保障**安全等方法发挥着重要作用,微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。基于半导体制造工艺的光刻技术是**常用的手段之一。对于纳米孔的加工,常用的手段是先利用曝光负性光刻胶并显影后得到微纳尺度的柱状结构,再通过金属的沉积和溶胶实现图形反转从而得到所需要的纳米孔。然而传统的方法由于光刻过程中的散焦及临近效应等会造成曝光后的微纳结构侧壁呈现一定的角度(如正梯形截面),这会造成蒸发过程中的挂壁严重从而使lift-off困难。同时由于我们常用的高分辨的负胶如hsq,在去胶的过程中需要用到危险的氢氟酸,而氢氟酸常常会腐蚀石英,氧化硅等衬底从而影响器件性能,特别的,对于跨尺度高精度纳米结构的制备在加工效率和加工能力方面面临着很大的挑战。技术实现要素::为了克服上述技术问题,本发明公开了一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法。质量好的做剥离液的公司。苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源
剥离液蚀刻后的样貌形态。苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源
所述抽真空气体修饰法包括如下步骤:将将衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中,对密闭空间抽真空至光刻胶抗粘层气化,保持1分钟以上,直接取出衬底。进一步的改进,所述衬底为硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、铌酸锂、金刚石、蓝宝石或ito制成。进一步的改进,所述步骤(2)对衬底修饰的试剂包括hmds和十三氟正辛基硅烷;对衬底修饰的试剂镀在衬底表面。进一步的改进,所述所述光刻胶包括pmma,zep,瑞红胶,az胶,纳米压印胶和光固化胶。进一步的改进,所述光刻胶厚度为1nm-100mm进一步的改进,所述光刻胶上加工出所需结构的轮廓的方法为电子束曝光,离子束曝光,聚焦离子束曝光,重离子曝光,x射线曝光,等离子体刻蚀,紫外光刻,极紫外光刻,激光直写或纳米压印。进一步的改进,所述黏贴层为pdms,紫外固化胶,热释放胶,高温胶带,普通胶带,pva,纤维素或ab胶。上述选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法制备的微纳结构用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。本发明的有益效果在于,解决了现有负性光刻胶加工效率低,难于去胶,去胶过程中损伤衬底,对于跨尺度结构的加工过程中加工精度和效率的矛盾等问题。苏州天马用的蚀刻液剥离液推荐货源
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